하이닉스, 321단 낸드 개발
엔비디아 'AI 슈퍼칩' 선보여

메모리 반도체 불황이 길어지는 가운데 반도체 업계의 기술력 경쟁에 불이 붙는 분위기다. 당장 SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 ‘321단 4D 낸드’샘플을 공개하며 반도체 업계 최초로 300단 이상을 쌓은 낸드플레시 개발을 진행 중이라고 공식화했다.

현재 SK하이닉스가 238단 낸드를 출하하고 있으며, 마이크론이 232단, 삼성전자가 236단 수준 낸드 양산에 각각 들어간 상태인데 SK하이닉스가 선공에 나선 셈이다. SK하이닉스는 이날 321단 1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 개발 경과를 발표하고 개발 단계 샘플을 선보였다. 계속해서 완성도를 높인 뒤 2025년 상반기부터 양산하겠다고 선언했다.

낸드는 셀(cell)을 수직으로 쌓아 올려 데이터 용량을 늘리는 적층 기술이 핵심 경쟁력이다. 인공지능(AI) 시장 급성장 등에 고성능·고용량 메모리 수요가 가파르게 늘어나면서 적층 경쟁을 부추기는 모양새다. 반도체 수요 부진에 따른 기술 경쟁은 AI 칩 시장에서도 읽힌다. AI 컴퓨팅 기술 분야 선두 주자인 미국 반도체 기업 엔비디아는 같은 날 미국 로스앤젤레스에서 열린 컴퓨터 그래픽스 콘퍼런스 시그래프에서 차세대 AI 칩 ‘GH200 그레이스 호퍼 슈퍼칩’을 선보였다.

이 칩에는 초당 5테라바이트(TB)의 엄청난 속도로 정보에 접근할 수 있는 고대역폭 메모리 HBM3e가 탑재됐다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 쌓아 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리로, HBM3e는 4세대 제품이다. 엔비디아는 이 슈퍼칩이 내년 2분기 생산될 것이라고 밝혔다. 현재 엔비디아는 AI 칩 시장의 80% 이상을 점유하고 있으며 AMD와 인텔 등이 추격하고 있다. 업계에선 엔비디아가 이 슈퍼칩를 통해 시장 지배력을 강화할 수 있을 것으로 보고 있다.

민지형 기자 oasis@busan.com